平面式場效電晶體在半導體產業當中已經有很長一段時間了，也是相當重要的元件，然而，現今已是奈米製程時代，元件尺寸不斷地在縮小，有面臨到一些問題與挑戰，且電子產品持續的推陳出新，要求效能高、成本低與體積小，讓人們在攜帶上更加便利。為了符合這些需求，在此發現三維鰭式場效電晶體(FinFET)，在奈米等級的應用中，可說是很好的元件。而在本次的實驗中，所使用的是鰭式場效電晶體(FinFET)元件，此元件相較於傳統平面式場效電晶體，閘極對通道的控制能力相當好，將FinFET元件發揮到最高效能。
在量測實驗當中，是以n型FinFET來作主要待測元件，以固定通道寬度W=0.12μm，搭配著不同通道長度(L=10μm、2μm、0.5μm、0.24μm、0.16μm)來作量測。使用過度曝光的技術觀察到特性曲線出現異常的現象，在W/L=0.12μm/0.5μm、W/L=0.12μm/0.24μm、W/L=0.12μm /0.16μm，會引起所謂的浮體效應(floating body effect)也被稱作為扭結效應(kink effect)。隨後加入溫度的量測(25℃、50℃、75℃、100℃)，再去看電特性曲線的變化，發現在溫度越高時，扭結效應也會愈來愈明顯。 |
