本研究主要是以無電鍍及電鍍的方式，將已織構化單晶矽上析鍍鈷鎢合金來作為熱擴散阻障層，首先以無電鍍之方式在已織構化矽基材上，用pH＝5.0、溫度70℃的酸性鍍液來析鍍1分鐘的薄層鎳，接著在Ar/H2（95% Ar + 5% H2）的環境下，進行500℃十分鐘之退火來形成鎳矽化合物。再來利用電鍍的方式將鈷鎢析鍍於已形成鎳矽化物之結構上，最後再電鍍上2µm厚的銅，形成Cu/CoxW1-x/ NiSiy/Si的結構。本研究電鍍鈷鎢合金層的時間為80秒，並用兩種不同比例的鈷鎢鍍液，分別以20g/L比例的鈷液中添加30g/L、60g/L的鎢酸鈉作為電鍍液，電鍍之電流為0.007A~0.025A~(0.04A~0.09A)，析鍍出不同比例的鈷鎢合金層。再藉由SEM中EDS確認鈷鎢合金成份比例。結果顯示，在分為兩階段電流與三階段電流的控制下，鎢元素會隨著電流的升高提高鎢元素在鈷鎢合金中的比例。而後發現在矽/純鈷阻障層/銅試片中，於500℃退火時就會產生銅矽化合物(Cu3Si)，另外在矽/Co80W20/銅的系統中，於500℃時會產生Cu3Si。最後鎢元素的比例在80%的矽/Co20W80/銅系統則在退火700℃ 時才會產Cu3Si。此顯示電鍍鈷鎢阻障層中，鎢含量愈高則阻擋銅擴散的效果愈好，而鈷鎢合金阻擋溫度最高能達到700℃。